Samsung представила самую быструю память в мире || самый быстрый интернет в мире
Вхід на сайт
Навігація по сайту

Популярні статті
Архів новин
Серпень 2012 (375)
Липень 2012 (2130)
Червень 2012 (2320)
Травень 2012 (4102)
Квітень 2012 (5745)
Березень 2012 (7920)
Лютий 2012 (5400)
Січень 2012 (5854)
Грудень 2011 (6715)
Листопад 2011 (5081)
Жовтень 2011 (5186)
Вересень 2011 (6487)
Інформація
Вы находитесь: Новости информационных технологий

    Поделиться в соцсетях:

Главная: Новости интернет технологий Samsung представила самую быструю память в мире Новости по теме 11-08-2013; 12:50 Samsung представила 3 бюджетных смартфона
Ожидается, что бюджетная новинка скоро поступит в продажу в Индии по цене 8000 рупий (примерно 4500 рублей по текущему курсу). Они поступят в продажу в Южной Африке примерно в мае, а затем уже появятся в других странах.

Samsung представила самую быструю память в мире

14-08-2013; 17:27

216просмотров

Самый в мире. Samsung представит Самые мира. Самый самые в мире Самый популярный сайт в мире Компания Samsung представила самые быстрые в мире чипы памяти, которые

В интернете, где легко можно найти популярный сайт vodar.by, появилась информация, что Samsung Electronics анонсировала разработку самой быстрой в мире памяти DDR3 SRAM. 72-мегабайтные чипы обладают пропускной способностью в 1,5 Гбит/сек. Предназначается новая память для серверов и рабочих станций следующего поколения.

Последней разработкой компании в этой области были чипы памяти DDR II с временем доступа 0,45-0,50 наносекунд и напряжением питания в 1,8 В. Выполненная по 90-нанометровому техпроцессу память DDR3 потребляет всего лишь 1,2 В питания.

Читайте на «Nbio»: В Москве самый быстрый мобильный интернет Ячейки размером менее одной миллионной квадратного метра были получены с помощью фторо-криптонового лазера. Подробности технологии будут освещены на выставке International Solid-State Circuits Conference (Международная конференция по твердотельным полупроводникам), которая пройдёт с 9 по 13 февраля в Сан-Франциско, в штате Калифорния.

Кроме этого, на выставке специалисты Samsung Electronics представят двухгигабайтный модуль NAND Flash, сверхскоростной модуль памяти DDR II на 512 Мб и расскажут о применении 90-нанометрового технологического процесса и о разработке памяти SDRAM с низким энергопотреблением.

Серийное производство 72-мегабайтных модулей DDR3 начнётся во второй половине 2003 года. Пока существует только опытный образец объёмом 32 Мб.

Читайте на «Nbio»: Мировые цены на оперативную память продолжают снижаться
  Абрамовичa Е. О.
Комментариев пока нет Опубликованные сообщения являются частными мнениями лиц, их написавших. Редакция сайта за размещенные сообщения ответственности не несет.

Читайте также:

www.nbio.org 2008 - 2012
All rights reserved